регистрация забыли пароль? вход через соцсети:
Facebook Twitter ВКонтакте Одноклассники МойМир Яндекс Google
Глобальная Авантюра
ФОРУМ
главное меню
  1. >
  2. Форум >
  3. Научно-технический раздел >
  4. IT в России и мире в реалиях мирового кризиса >
  5. Треды >
  6. Вечная память: в России изобрели сверхскоростную замену ОЗУ

Вечная память: в России изобрели сверхскоростную замену ОЗУ

14 июля 2017 17:52:18   1,177 5 +0.09 / 9 +0.30 / 27
Опубликовано в: IT в России и мире в реалиях мирового кризиса
 


Фото: pravda-tv.ru
 Российские ученые создали совершенно новый тип памяти, который может положить конец монополии полупроводниковых запоминающих устройств.
Научный журнал Applied Physics Letters опубликовал результаты разработок российских ученых, которые смогли изобрести новый тип оперативной памяти, сочетающей высокую скорость работы обычной электронной памяти и низкое энергопотребление магнитных носителей информации.

«Индустрия RAM сегодня очень сильно развита, ее скорости становятся все больше, однако есть существенный недостаток, который пока не удается преодолеть, — ее низкая энергоэффективность. Созданная нами магнитно-электрическая ячейка памяти позволит снизить затраты энергии на запись и чтение в десятки тысяч раз», — отметил директор Института радиотехники и электроники РАН и заведующий кафедрой в МФТИ Сергей Никитов.

До сегодняшнего дня достойной альтернативы оперативным запоминающим устройствам попросту не было. Технологии, основанные на том же принципе «быстрой» памяти, такие как оптические или ферромагнитные, не пользуются большой популярностью среди производителей вычислительных комплексов из-за серьезных недостатков, препятствующих их широкому применению: высокое тепловыделение, громоздкие размеры, чувствительность к окружающей среде и т.д.

Никитов же и его коллеги смогли создатьновый верхбыстрый и при этом практичный тип памяти MELRAM, который, по словам разработчиков способен положить конец «монополии» полупроводниковой памяти.

Российские ученые разрешили главную проблему магнитных систем записи и чтения информации, заключающуюся в невозможности миниатюризации ячеек магнитной памяти. Используя специальные материалы, меняющие свои магнитные свойства при деформации, команда Никитова соединила два таких вещества в единый «бутерброд» для создания ячеек магнитоэлектрической памяти, где ноль и единица обозначаются направлением намагниченности, а не электрическим зарядом конденсатора, как в обычной оперативной памяти.

Главное преимущество такой ячейки памяти заключается в фактически вечном хранении информации. Кроме того, такие устройства можно уменьшить до размеров транзисторов, так как для работы MELRAM не нужны внешние датчики магнитного поля.

По мнению авторов работы, при переходе к маленьким размерам работоспособность предложенного ими решения никак не ухудшится, а значит, можно утверждать, что у MELRAM хорошие перспективы в области вычислительной техники с жесткими требованиями к энергопотреблению.

Материал подготовил Сергей Перелесов


+ 0.09 / 9


  
КОММЕНТАРИИ (5) Цепочки
 
  slavae
 
   
slavae   Россия
Москва
 

Российские ученые разрешили главную проблему магнитных систем записи и чтения информации, заключающуюся в невозможности миниатюризации ячеек магнитной памяти. Используя специальные материалы, меняющие свои магнитные свойства при деформации, команда Никитова соединила два таких вещества в единый «бутерброд» для создания ячеек магнитоэлектрической памяти, где ноль и единица обозначаются направлением намагниченности, а не электрическим зарядом конденсатора, как в обычной оперативной памяти.

Главное преимущество такой ячейки памяти заключается в фактически вечном хранении информации. Кроме того, такие устройства можно уменьшить до размеров транзисторов, так как для работы MELRAM не нужны внешние датчики магнитного поля.

Даже интересно, по какому принципу выбрана иллюстрация. Наверное магнит подносят к магнитным ячейкам на верстаке.
В Самсунге осенью уже выпустят ширпотребную MRAM, а тут всё проблемы решают.
Отредактировано: slavae - 14 июля 2017 18:09:29
Империя - это мир. И этой идеологии достаточно.
Одушевлённое Одевают, Неодушевлённое Надевают.
+ 0.01 / 1
 
 
  k0t0b0i
 
   
k0t0b0i   17 лет
 
Даже интересно, по какому принципу выбрана иллюстрация. Наверное магнит подносят к магнитным ячейкам на верстаке.
В Самсунге осенью уже выпустят ширпотребную MRAM, а тут всё проблемы решают.

А это не MRAM, там совсем другой принцип записи.
+ 0.03 / 2
   
 
  ps_
 
   
ps_  
 
А это не MRAM, там совсем другой принцип записи.

Насколько я знаю, существует вагон и маленькая тележка типов памяти на альтернативных физических принципах.
Однако очень трудно продвинуться от прототипа до серийного производства.
+ 0.03 / 2
     
 
  Senya
 
   
Senya   Россия
48 лет
 
Насколько я знаю, существует вагон и маленькая тележка типов памяти на альтернативных физических принципах.
Однако очень трудно продвинуться от прототипа до серийного производства.

В среднем путь технологии от страниц Ай-я-я-яй Транзакшн до пользовательской розницы укладывался в 10 лет. Иногда быстрее, но вроде не меньше 5. В эти сроки можно посмотреть.
"Иван Грозный помещает на рабочий стол полученный от хана ярлык."(с) Не моё.
+ 0.04 / 4
 
  k0t0b0i
 
   
k0t0b0i   17 лет
 
Российские ученые разрешили главную проблему магнитных систем записи и чтения информации, заключающуюся в невозможности миниатюризации ячеек магнитной памяти. Используя специальные материалы, меняющие свои магнитные свойства при деформации, команда Никитова соединила два таких вещества в единый «бутерброд» для создания ячеек магнитоэлектрической памяти, где ноль и единица обозначаются направлением намагниченности, а не электрическим зарядом конденсатора, как в обычной оперативной памяти.


Ученые - молодцы, журналисты, как обычно, даже до уровня "отстой" не дотягивают.
Во-первых, это совместная разработка ИОФ РАН и французского IEMN.
Во-вторых, российской командой руководит не Никитов, а Преображенский.
В-третьих, не "два таких вещества", а нанослой пьезоэлектика с нанослоем магнитоэлектрика.

Цитата
Суть открытия - в комбинации магнитоэлектрической и пьезоэлектрической части материала. Магнитоэлектрик представлен сочетанием оксида тербия с оксидом кобальта и оксида железа с оксидом кобальта; несколько перемежающихся слоев такого магнитоэлектрика накладываются на сегнетоэлектрический релаксор (оксид свинца-магния-ниобия, известный чрезвычайно широкой областью фазового перехода), который имеет свойство менять форму под внешним воздействием.

Новость майская, до российских изданий дошла в июне, ну а сейчас ее уже совсем тормоза перевирают. Тем не менее, гордиться действительно есть чем.
+ 0.10 / 9
ДОБАВИТЬ КОММЕНТАРИЙ
Вы не можете добавить комментарий:
НОВОСТИ ПАРТНЕРОВ

AFTERSHOCK

 

МЕДИА МЕТРИКА

   

RELAP

  1. >
  2. Форум >
  3. Научно-технический раздел >
  4. IT в России и мире в реалиях мирового кризиса >
  5. Треды >
  6. Вечная память: в России изобрели сверхскоростную замену ОЗУ
Глобальная Авантюра © 2007-2017 Глобальная Авантюра. Все права защищены и охраняются законом. При использовании любого материала любого автора с данного сайта в печатных или Интернет изданиях, ссылка на оригинал обязательна. Мнение администрации не обязательно совпадает с мнением авторов документов и комментариев, опубликованных на сайте.

CCBot/2.0 (http://commoncrawl.org/faq/)
Unknown

Яндекс.Метрика