Тред №299796
новая дискуссия
Дискуссия
765
Цитата: problemsolver
А может, кто-то придумает, как на протравленный и зашпаклеванный всякими изоляторами и проводниками слой кремния нанести изолирующий слой, оставив вертикальные проводники с одного уровня на другой, а на этот изолятор нанести слой кремния, который уже можно травить по новой. Как нанести? Не знаю, может, йонным напылением каким-нибудь, а может, тот же графен будут слоями укладывать.
Это - не решение проблемы объемных полупроводников. Это по прежнему та же плоскость, просто уложенная в несколько слоев (всего лишь). Принципиально не отличается от распиливания плоского куска кремния на части (wafers) и укладывания их послойно одну на другую.
Речь идет о том, чтобы создать, скажем, полупроводниковый кубик, где размеры элементов будут примерно одинаковы по всем трем измерениям: для примера, 1 мкм. То есть при размере грани кубика 4 см количество слоев полупроводников будет порядка 40 000; если размер одного элемента 40 нм, то будет 1 000 000 слоев (на самом деле, в несколько раз меньше, потому что требуется мощное охлаждение, которое лучше всего достичь за счет Пелтье-эффекта).
Я не специалист в этой области, но не удивлюсь, что какие-то попытки делать объемные микросхемы предпринимались еще в 70-е годы, но были оставлены, потому что намного легче и дешевле было совершенствовать плоскостные полупроводники.
P.S. Да, и с тысячами (десятками, сотнями тысяч) слоев совершенно не имеет смысла создавать их по одному, слой за слоем. Нужен совсем другой принцип.
Отредактировано: Yuri Rus - 03 фев 2011 21:49:41