Конец истории? Взгляд за горизонт событий технологической сингулярности.
232,832 177
 

  Yuri Rus russia
03 фев 2011 21:46:02

Тред №299796

новая дискуссия Дискуссия  765

Цитата: problemsolver
А может, кто-то придумает, как на протравленный и зашпаклеванный всякими изоляторами и проводниками слой кремния нанести изолирующий слой, оставив вертикальные проводники с одного уровня на другой, а на этот изолятор нанести слой кремния, который уже можно травить по новой. Как нанести? Не знаю, может, йонным напылением каким-нибудь, а может, тот же графен будут слоями укладывать.



Это - не решение проблемы объемных полупроводников. Это по прежнему та же плоскость, просто уложенная в несколько слоев (всего лишь). Принципиально не отличается от распиливания плоского куска кремния на части (wafers) и укладывания их послойно одну на другую.

Речь идет о том, чтобы создать, скажем, полупроводниковый кубик, где размеры элементов будут примерно одинаковы по всем трем измерениям: для примера, 1 мкм. То есть при размере грани кубика 4 см количество слоев полупроводников будет порядка 40 000; если размер одного элемента 40 нм, то будет 1 000 000 слоев (на самом деле, в несколько раз меньше, потому что требуется мощное охлаждение, которое лучше всего достичь за счет Пелтье-эффекта).

Я не специалист в этой области, но не удивлюсь, что какие-то попытки делать объемные микросхемы предпринимались еще в 70-е годы, но были оставлены, потому что намного легче и дешевле было совершенствовать плоскостные полупроводники.

P.S. Да, и с тысячами (десятками, сотнями тысяч) слоев совершенно не имеет смысла создавать их по одному, слой за слоем. Нужен совсем другой принцип.
Отредактировано: Yuri Rus - 03 фев 2011 21:49:41
  • +0.00 / 0
КОММЕНТАРИИ (0)
 
Комментарии не найдены!