Томская компания
"Плазменные источники", участник инновационного центра "Сколково", получила грант на создание
ионных источников для производства полупроводниковых элементов
нового поколения — элементов микроэлектроники наноразмерной технологии. Компания работает над этим более пяти лет.
За это время в лабораторных образцах достигнуты рекордные параметры
источников с точки зрения использования в полупроводниковой технологии.
Разработка в конечном итоге позволит увеличить качество приборов,
в которых используются интегральные микросхемы, и снизить их стоимость.
- Общий объем финансирования проекта на два года составляет 24 млн рублей,
- из них 18 млн инвестирует Фонд "Сколково".
Участие в инновационном центре "Сколково" и грантовая поддержка
фонда помогают прежде всего в коммерциализации разработок.Основными потенциальными покупателями продукции томских разработчиков будут
ведущие зарубежные компании - производители ионно-имплантационного оборудования.
Ионную имплантацию применяют, например, как метод легирования металлов
для изменения их физических и химических свойств - повышения
- твердости,
- износостойкости,
- коррозионной стойкости.
Рынок ионных источников оценивается экспертами почти в 75 млн долларов в год,
при этом в течение последних 5 лет наблюдается рост объемов продаж на 20% ежегодно.Компания "Плазменные источники" создана при Институте
сильноточной электроники Сибирского отделения РАН.
Она специализируется
- на научных исследованиях
- и разработках в области создания ионных источников и генераторов плазмы
для модификации поверхностных свойств материалов и фундаментальных исследований.
В настоящее время участниками инновационного центра
"Сколково" являются 19 компаний из Томской области. - Восемь из них вошли в кластер "Биомедицинские технологии",
- пять — в кластер "Энергоэффективные технологии",
- четыре — в кластер "Информационные технологии"
- и по одной — в кластеры "Ядерные технологии"
- и "Космические технологии и телекоммуникации".