Военная микроэлектроника
30,847 48
 

  DeC ( Слушатель )
01 июл 2016 14:58:11

«Ангстрем» разработал уникальные космические транзисторы

новая дискуссия Новость  1.200

«Ангстрем» разработал уникальные космические транзисторы
30.06.2016




Специалисты ОАО «Ангстрем» по заказу ОАО «Российские космические системы» (Роскосмос) разработали два типа транзисторов, стойких к факторам космического пространства. Подобные изделия, стойкие к тяжелым заряженным частицам (ТЗЧ), выпускает всего одна компания в мире, однако их поставки в Россию в последнее время значительно ограничены.

Сложная ситуация в отечественной промышленности в 90-х годах привела к тому, что для создания космических аппаратов использовалось большое количество зарубежной электронной компонентной базы (ЭКБ), зачастую коммерческого уровня.

После ряда инцидентов, российскими властями было принято решение запретить отправлять в космос изделия, ЭКБ которых не является стойкой к воздействию ТЗЧ.

В 2012 году «Роскомос» поручил ОАО «Ангстрем» разработать первые в России серии транзисторов, которые позволяют создавать аппаратуру для работы в околоземном пространстве, а также в сложных условиях на земле.

В 2014 году появилось первое поколение российских транзисторов серии 2ПЕ203, 2ПЕ204 с напряжением от 30 до 100В стойких к воздействию ТЗЧ (тяжелых заряженных частиц) с энергией не менее 60 МэВ·см2/мг.

В 2016 году были проведены испытания опытных образцов уже 2-го поколения транзисторов стойких к воздействию ТЗЧ:
- 2ПЕ206А9 с сопротивлением не более 50 мОм и максимальным напряжением 140 В при воздействии ТЗЧ (тяжелых заряженных частиц) с энергией не менее 60 МэВ·см2/мг,
- 2ПЕ207А9 с сопротивлением не более 200 мОм и максимальным напряжением 200 В при воздействии ТЗЧ (тяжелых заряженных частиц) с энергией не менее 60 МэВ·см2/мг.


Транзисторы, кроме стойкости к ТЗЧ, имеют малый заряд затвора и низкое сопротивление сток-исток в открытом состоянии, что позволит увеличить КПД (коэффициент полезного действия) бортовых источников питания. Разработка позволит повысить качество обработки информации, передаваемой с различных спутников на землю. Завершение ОКР и включение транзисторов в перечень ЭКБ запланировано на ноябрь 2016г.

Татьяна Крицкая, руководитель направления разработки силовой электроники ОАО «Ангстрем»: «Эти транзисторы должны заменить иностранные аналоги. Таким образом мы получим независимость отечественной космической программы от зарубежных производителей. А в скором времени мы должны закончить разработку еще более совершенных изделий, стойких к ТЗЧ транзисторов 3-го и 4-го поколений, которые будут превосходить импортные и потеснят их на международном рынке».

Основными источниками радиации на околоземной орбите являются Солнце и звезды. Первое обеспечивает постоянный поток протонов и электронов, а звезды дополняют излучение ядрами тяжелых элементов. На Земле радиацию ограничивает магнитное поле планеты, собирающее пролетающие частицы в радиационные пояса (пояса Ван Аллена). Именно эти пояса являются самой серьезной проблемой для космических аппаратов, а потому время нахождения в них стараются минимизировать.

Использование в космической аппаратуре стандартных транзисторов и микросхем ограничено эффектом защелкивания, и в отдельных случаях возможно только на низких орбитах. На более высоких орбитах и в дальнем космосе нужны специальные радиационно-стойкие изделия, так как космические аппараты лишены защиты магнитного поля Земли.

Источник

Хорошее дело! Нравится
Отредактировано: DeC - 01 июл 2016 14:59:00
  • +1.30 / 21
  • АУ
ОТВЕТЫ (3)
 
 
  v.a.e ( Слушатель )
01 июл 2016 15:55:09

Разработал то "Ангстрем", а производит кто, Тайвань?
  • -0.11 / 5
  • АУ
 
 
  DeC ( Слушатель )
01 июл 2016 16:06:40
Сообщение удалено
DeC
01 июл 2016 16:11:57
Отредактировано: DeC - 01 июл 2016 16:11:57

  • +0.00
 
 
  slavae ( Слушатель )
01 июл 2016 19:54:57

Вообще-то у Ангстрема как раз есть своё производство.

Кристальное производство


Линия 100:
Уровень: КНС и карбидокремниевые пластины диаметром 100 мм, 1,6 мкм, 1 металл, 6 тыс. пл/год

Технологии:

Действующие: КНС, КМОП, БиКМОП, Биполяр радиациононо стойкий
Развиваемые: Карбид кремния

Линия 150:
Уровень:кремниевые, КНС и КНИ пластины диаметром 150 мм, 0,6 мкм, 3 металла, 72 тыс. пл/год.

Технологии:

Действующие: o Действующие: КМОП, EEPROM, КМОП РС, КНС, БиКМОП, ДМОП, IGBT, МРД
Развиваемые: МЭМС, ИК-видение, БиКДМОП
  • +0.12 / 5
  • АУ