Большой передел мира
267,185,753
522,379
|
DeC ( Профессионал ) |
| 31 окт 2018 13:38:41 |
«Ангстрем» заключил трехстороннее соглашение по созданию и производству нового типа транзисторов
новая дискуссия Новость 395
31.10.2018, СР, 10:03, Мск
«Ангстрем» заключил трехстороннее российско-японо-китайское соглашение по созданию и производству нового типа транзисторов на основе карбида кремния (SiC). Соглашение предусматривает постановку на «Ангстрем» производства транзисторов по новой для него, запатентованной технологии SiC. Ее использование позволит получить транзисторы с меньшим размером кристалла, при этом их стоимость будет сопоставима, а может даже ниже по сравнению с традиционными изделиями на кремнии.
Транзисторы на основе карбида кремния, традиционно имеют более высокую стоимость, чем транзисторы, изготовленные на кремнии, и поэтому спрос на них относительно ограничен. Использование же новой запатентованной технологии SiC позволит получить транзисторы с меньшим размером кристалла, а также значительно уменьшить стоимость транзистора в корпусе, что делает их использование более выгодным.
В церемонии подписания соглашения о стратегическом партнерстве, приняли участие первый заместитель генерального директора «Ангстрема» Николай Плис, президент компании «Джапан семикондактор инжениринг и консалтинг» Хошино Масахиро (Hoshino Masahiro) и генеральный директор компании «Тайжоу бийонд технолоджи» Чжань Лэниан (Zhang Lenian).
На «Ангстреме» будет внедрена новая технология производства транзисторов на основе карбида кремния. Техпроцесс разработан специалистами японской компании «Джапан семикондактор инжениринг и консалтинг». Третья сторона соглашения, китайская компания «Тайжоу бийонд технолоджи», берет на себя обязательство по сборке кристаллов транзисторов в корпус. Согласно документу, стратегическое партнерство между тремя компаниями будет длиться на протяжении пяти лет, а затем может быть продлено.
Первые образцы продукции планируется представить в ходе крупной выставки Appliance & Electronics World Expo 2019 в Шанхае. В случае положительного отклика от потребителей, объемы производства могут достигнуть нескольких миллионов кристаллов в год, что будет значительным прорывом для «Ангстрема» и выходом на мировой рынок с продукцией на основе SiC.
«Ангстрем» ежегодно запускает в серийное производство не менее 50 новых типов интегральных схем, микропроцессоров и транзисторов промышленного и специального назначения, в том числе по технологии кремний на сапфире. За последние три года было обновлено порядка 20% продукции предприятия из 2 тыс. наименований.
Источник
«Ангстрем» заключил трехстороннее российско-японо-китайское соглашение по созданию и производству нового типа транзисторов на основе карбида кремния (SiC). Соглашение предусматривает постановку на «Ангстрем» производства транзисторов по новой для него, запатентованной технологии SiC. Ее использование позволит получить транзисторы с меньшим размером кристалла, при этом их стоимость будет сопоставима, а может даже ниже по сравнению с традиционными изделиями на кремнии.
Транзисторы на основе карбида кремния, традиционно имеют более высокую стоимость, чем транзисторы, изготовленные на кремнии, и поэтому спрос на них относительно ограничен. Использование же новой запатентованной технологии SiC позволит получить транзисторы с меньшим размером кристалла, а также значительно уменьшить стоимость транзистора в корпусе, что делает их использование более выгодным.
В церемонии подписания соглашения о стратегическом партнерстве, приняли участие первый заместитель генерального директора «Ангстрема» Николай Плис, президент компании «Джапан семикондактор инжениринг и консалтинг» Хошино Масахиро (Hoshino Masahiro) и генеральный директор компании «Тайжоу бийонд технолоджи» Чжань Лэниан (Zhang Lenian).
На «Ангстреме» будет внедрена новая технология производства транзисторов на основе карбида кремния. Техпроцесс разработан специалистами японской компании «Джапан семикондактор инжениринг и консалтинг». Третья сторона соглашения, китайская компания «Тайжоу бийонд технолоджи», берет на себя обязательство по сборке кристаллов транзисторов в корпус. Согласно документу, стратегическое партнерство между тремя компаниями будет длиться на протяжении пяти лет, а затем может быть продлено.
Первые образцы продукции планируется представить в ходе крупной выставки Appliance & Electronics World Expo 2019 в Шанхае. В случае положительного отклика от потребителей, объемы производства могут достигнуть нескольких миллионов кристаллов в год, что будет значительным прорывом для «Ангстрема» и выходом на мировой рынок с продукцией на основе SiC.
«Ангстрем» ежегодно запускает в серийное производство не менее 50 новых типов интегральных схем, микропроцессоров и транзисторов промышленного и специального назначения, в том числе по технологии кремний на сапфире. За последние три года было обновлено порядка 20% продукции предприятия из 2 тыс. наименований.
Источник
ОТВЕТЫ (0)
Комментарии не найдены!