Тред №391871

Цитата: mn01 от 18.02.2012 02:48:50
Насчёт идти вперёд. Помните попытку покупки Опеля? С оборудованием для микроэлектроники ситуация та же. Новейшее, последнее - не продают. Там везде используются американские ноу-хау, а на продажу оборудования, их содержащего, имеются ограничения.  По крайней мере несколько лет назад было так.

Однако, предположим, что купили. Но тут возникнет вопрос: где найти специалистов, умеющих работать на этой аппаратуре? В исходной статье написано, что они для 90-нм линии специалистов отовсюду собирали, вплоть до переманивания из-за рубежа. Еще вопрос: а что на супер-пупер фабрике делать (не забывайте, она больше миллиарда долларов стоит), где заказчик, где рынок сбыта, какие объемы производства и т.д. и т.п.

Так что, освоение 90-нм технологии - это еще один шаг в нужном направлении в сторону а) сокращения разрыва в уровне технологий и б) устранения зависимости от иностранных поставщиков электронных компонентов.

Собственно говоря, промышленные сканер-степперы производят всего несколько фирм: ASML, NEC. Американцы литографы не производят, а только отдельные компоненты типа лазерных установок. Купить литограф не проблема. Проблема в технологическом маршруте, который вам никто не продаст, вернее говоря, продадут только под устаревшие техпроцессы. А без самой технологии вокруг литографа даже на 10 нм можно плясать с бубном с известным результатом. У нас в РФ есть к примеру немецкие лабораторные литографы Raith-150 two с пространственным разрешением до 20 нм, но это не промышленные литографы.

А из последних событий в микроэлектронике РФ, помимо Курчатовского института с прототипом EUV-литографа, совсем незамеченными остались вот эти события (одно из которых способно совершить настоящий прорыв в микроэлектронике):

Цитата
"Институт физики микроструктур", (ИФМ) Нижний Новгород
"Институт спектроскопии" (ИСАН), Троицк
"Лаборатория "Амфора", Москва
...
Когда готовы зеркала и фильтры, можно собирать литограф. Салащенко показывает его макет: «Это первый в России литограф-мультипликатор на длине волны 13,5 нанометра. В настоящее время мы начали отрабатывать режимы работы литографа, определяем достигнутое пространственное разрешение, которое позволяет получать изготовленная нами оптика». Поскольку работы в этом диапазоне длин волн ведутся в России впервые, в ИФМ вынуждены создавать совместно с сотрудниками Института химии при Нижегородском университете фоторезисты, чувствительные на длине волны 13,5 нм, и оборудование для их исследований и испытаний.

Статья: "Сложить нанопасьянс"
*********************************

Сотрудники НОЦ "Квантовые приборы и нанотехнологии" ФИАН и МИЭТ разработали технологию получения быстродействующей электронной компонентной базы нового поколения на основе квантовых эффектов резонансного туннелирования. Речь идет о технологии монолитной планарной интеграции резонансно-туннельных диодов, полевых транзисторов и диодов Шоттки. Она позволяет существенно увеличить быстродействие, снизить количество активных элементов цифровых интегральных схем и полностью совместима со стандартной технологией арсенид-галлиевых интегральных схем.

Одним из наиболее перспективных направлений в функционально интегрированной электронике является использование эффекта резонансного туннелирования. Именно в этом направлении в твердотельной электронике достигнуты мировые рекорды по быстродействию, сравнимые с быстродействием сверхпроводящих устройств. Простейшим электронным прибором такого типа является резонансно-туннельный диод (РТД), обладающий способностью мгновенно (за время порядка 1 пс) переключаться из одного устойчивого состояние в другое благодаря своеобразной вольт-амперной характеристике (ВАХ), имеющей N-образный вид. [Пояснение: 1 пс соответствует частоте 1 ТГц]
...
Важно, что достижение такого высокого быстродействия возможно в РТД, латеральные размеры которого порядка 0,1 мкм, а не десятки нанометров, как затворы современных полевых транзисторов. Это позволяет создавать приборы с высоким быстродействием даже на оборудовании 20-летней давности.


...
Итак, схемы на функционально интегрированных элементах РТД/транзистор могут быть спроектированы с меньшим количеством компонентов, обладать более высоким быстродействием и меньшей потребляемой мощностью, чем схемы на транзисторах. Исследования по функциональной интеграции резонансно-туннельных диодов, полевых транзисторов и диодов Шоттки требуют разработки всего комплекса технологических и метрологических методов и устройств, обеспечивающих выращивание гетероструктур на основе GaAs высокого качества с непрерывным контролем поверхности роста и последующее изготовление интегральных схем на их основе. В НОЦ ФИАН-МИЭТ такой комплекс был создан, также уже созданы первые опытные образцы базовых элементов цифровых интегральных схем - инвертора и компаратора.

ФИАН-информ