IT в России и мире в реалиях мирового кризиса
1,401,234
8,469
|
Вадим Р. ( Слушатель ) |
| 31 авг 2016 13:02:21 |
Ученые "Института физики полупроводников" нашли способ увеличить скорость и срок хранения на флэш-накопителях
новая дискуссия Новость 159
Ученые "Института физики полупроводников" нашли способ увеличить скорость и срок хранения на флэш-накопителях
Ученые "Института физики полупроводников" (ИФП) СО РАН рассматривают возможность применения в устройствах для хранения памяти мультиграфена (нескольких слоев высокотехнологичного материала - графена).
Флеш-накопители на его основе будет отличать долгое время хранения информации и высокая скорость, сообщил старший научный сотрудник ИФП СО РАН Юрий Новиков.
Принцип действия такой памяти основан на инжекции (впрыскивании) и хранении электрического заряда в запоминающей среде, в данном случае мультиграфене. Необходимыми компонентами являются туннельный и блокирующий слои: первый изготавливается из оксида кремния, второй, как правило, из диэлектрика. "Так как для флеш-памяти на основе мультиграфена требуется тонкий туннельный слой, то быстродействие повышается в два-три раза. Ко всему прочему мы можем использовать более низкие напряжения перепрограммирования, а большая работа выхода позволяет долго хранить инжектированный заряд", - приводит слова Новикова официальное издание СО РАН "Наука в Сибири".
Как сообщил ТАСС старший научный сотрудник ИФП СО РАН Владимир Гриценко, в настоящее время рынок флеш-памяти в России полностью отсутствует, она производится только за рубежом. Для строительства необходимого завода в России потребовалось бы от $4 до 5 млрд, поэтому пока исследование носит исключительно фундаментальный характер.
Графен - инновационный материал, открытый в Великобритании выходцами из России Андреем Геймом и Константином Новоселовым, которые получили за это Нобелевскую премию по физике за 2010 год.
Ученые "Института физики полупроводников" (ИФП) СО РАН рассматривают возможность применения в устройствах для хранения памяти мультиграфена (нескольких слоев высокотехнологичного материала - графена).
Флеш-накопители на его основе будет отличать долгое время хранения информации и высокая скорость, сообщил старший научный сотрудник ИФП СО РАН Юрий Новиков.
Принцип действия такой памяти основан на инжекции (впрыскивании) и хранении электрического заряда в запоминающей среде, в данном случае мультиграфене. Необходимыми компонентами являются туннельный и блокирующий слои: первый изготавливается из оксида кремния, второй, как правило, из диэлектрика. "Так как для флеш-памяти на основе мультиграфена требуется тонкий туннельный слой, то быстродействие повышается в два-три раза. Ко всему прочему мы можем использовать более низкие напряжения перепрограммирования, а большая работа выхода позволяет долго хранить инжектированный заряд", - приводит слова Новикова официальное издание СО РАН "Наука в Сибири".
Как сообщил ТАСС старший научный сотрудник ИФП СО РАН Владимир Гриценко, в настоящее время рынок флеш-памяти в России полностью отсутствует, она производится только за рубежом. Для строительства необходимого завода в России потребовалось бы от $4 до 5 млрд, поэтому пока исследование носит исключительно фундаментальный характер.
Графен - инновационный материал, открытый в Великобритании выходцами из России Андреем Геймом и Константином Новоселовым, которые получили за это Нобелевскую премию по физике за 2010 год.
ОТВЕТЫ (0)
Комментарии не найдены!