для RodinaZombie

Цитата: fugu01 от 31.01.2018 22:03:301. Радар Ф-35 сделан по технологии GaAs, как и все БРЛС АФАР, включая создаваемый Captor. БРЛС АФАР на GaN существуют в виде прототипов. Они дейсвительно имеют преимущества по сравнению со старыми БРЛС АФАР на GaAs, но по савнению с новыми преимуществ пока практически нет. Элементную базу на GaN в Х-диапазоне выпускает НПО "Исток", например.
****

Цитата: fugu01 от 31.01.2018 22:03:30

 

Я не специалист, поэтому возник вопрос.

Вот тут пишут 


А.К. Прорыва в температурах эксплуатации пока нет. Сегодня GaN-транзисторы демонстрируют едва ли не худшие показатели термоустойчивости, чем GaAs-приборы. Например, при температуре активной структуры 350°С среднее время между отказами для GaAs-транзисторов составляет 10 -100 часов, а GaN менее 10 часов (данные испытаний 2007 года). Технология GaN-приборов будет совершенствоваться, но в любом случае, тепло в GaN-приборах снимается с площади, в 10 раз меньшей по сравнению с GaAs, поэтому проблем хватит. Коэффициент полезного действия у GaN-транзисторов действительно высокий, 60--65%. Но это - не прорыв, у современных GaAs pHEMT-транзисторов КПД достигает 55%.
 
Прорыв GaN-приборов - в удельной мощности, снимаемой с единицы периферии затвора транзистора, и как следствие - с единичного кристалла МИС. Сегодня с одного кристалла GaAs МИС в диапазоне  10 ГГц можно снять примерно 15-20 Вт. Например, такие приборы в 2008 году выпускала компания M/A-СOM. Но это можно считать пределом, дальше кристалл становится слишком большим и хрупким. С кристалла GaN МИС можно будет снимать до 100 Вт. Эта цель достижима, уже продемонстрирован GaN монолитный усилитель с выходной мощностью около  40 Вт

Я правильно понимаю, что по сути можно будет создавать самолетный БРЛС мощностью уже 50-100 квт?
Для сравнения, у Су-35 по открытым данным - моща радара порядка 20 квт.

• +0.20 / 5

Цитата: Danila96 от 01.02.2018 03:16:56Я не специалист, поэтому возник вопрос.

Вот тут пишут 


А.К. Прорыва в температурах эксплуатации пока нет. Сегодня GaN-транзисторы демонстрируют едва ли не худшие показатели термоустойчивости, чем GaAs-приборы. Например, при температуре активной структуры 350°С среднее время между отказами для GaAs-транзисторов составляет 10 -100 часов, а GaN менее 10 часов (данные испытаний 2007 года). Технология GaN-приборов будет совершенствоваться, но в любом случае, тепло в GaN-приборах снимается с площади, в 10 раз меньшей по сравнению с GaAs, поэтому проблем хватит. Коэффициент полезного действия у GaN-транзисторов действительно высокий, 60--65%. Но это - не прорыв, у современных GaAs pHEMT-транзисторов КПД достигает 55%.
 
Прорыв GaN-приборов - в удельной мощности, снимаемой с единицы периферии затвора транзистора, и как следствие - с единичного кристалла МИС. Сегодня с одного кристалла GaAs МИС в диапазоне  10 ГГц можно снять примерно 15-20 Вт. Например, такие приборы в 2008 году выпускала компания M/A-СOM. Но это можно считать пределом, дальше кристалл становится слишком большим и хрупким. С кристалла GaN МИС можно будет снимать до 100 Вт. Эта цель достижима, уже продемонстрирован GaN монолитный усилитель с выходной мощностью около  40 Вт

Я правильно понимаю, что по сути можно будет создавать самолетный БРЛС мощностью уже 50-100 квт?
Для сравнения, у Су-35 по открытым данным - моща радара порядка 20 квт.

Цитата: Danila96 от 01.02.2018 03:16:56

 

У Миг 25 в максимуме тоже было около 20 квт, ЕМНИП. И ничего, на дальность не жаловались. 

• +0.11 / 2

Цитата: GeorgV от 01.02.2018 07:55:03У Миг 25 в максимуме тоже было около 20 квт, ЕМНИП. И ничего, на дальность не жаловались.

Цитата: GeorgV от 01.02.2018 07:55:03

 

Ага, поэтому, по прикидочным оценкам, мощу на МиГ-31БМ довели до 30-40 квт в пике.
.
GaN транзисторы позволяют эти цифры поднять в 3-5 раз.
.
То есть можно получить увеличение дальности при тех же габаритах в 1,3-1,5 раза.
.
К примеру, в чистом небе, 31-й сможет обнаруживать самолеты не "стелс" на дальностях 500-600 км. При этом для него не будет такой проблемы как для наземных РЛС, в виде радиогоризонта, то есть он может просвечивать эту дальность практически на всех высотах. 
Если к нему еще допилить "оооочень длинную руку", то получится весьма кучеряво
.
Эххх... мечтать не запретишь...

• +0.50 / 13

Цитата: Danila96 от 01.02.2018 03:16:56Я не специалист, поэтому возник вопрос.

Вот тут пишут 


А.К. Прорыва в температурах эксплуатации пока нет. Сегодня GaN-транзисторы демонстрируют едва ли не худшие показатели термоустойчивости, чем GaAs-приборы. Например, при температуре активной структуры 350°С среднее время между отказами для GaAs-транзисторов составляет 10 -100 часов, а GaN менее 10 часов (данные испытаний 2007 года). Технология GaN-приборов будет совершенствоваться, но в любом случае, тепло в GaN-приборах снимается с площади, в 10 раз меньшей по сравнению с GaAs, поэтому проблем хватит. Коэффициент полезного действия у GaN-транзисторов действительно высокий, 60--65%. Но это - не прорыв, у современных GaAs pHEMT-транзисторов КПД достигает 55%.
 
Прорыв GaN-приборов - в удельной мощности, снимаемой с единицы периферии затвора транзистора, и как следствие - с единичного кристалла МИС. Сегодня с одного кристалла GaAs МИС в диапазоне  10 ГГц можно снять примерно 15-20 Вт. Например, такие приборы в 2008 году выпускала компания M/A-СOM. Но это можно считать пределом, дальше кристалл становится слишком большим и хрупким. С кристалла GaN МИС можно будет снимать до 100 Вт. Эта цель достижима, уже продемонстрирован GaN монолитный усилитель с выходной мощностью около  40 Вт

Я правильно понимаю, что по сути можно будет создавать самолетный БРЛС мощностью уже 50-100 квт?
Для сравнения, у Су-35 по открытым данным - моща радара порядка 20 квт.

Цитата: Danila96 от 01.02.2018 03:16:56

 

Можно будет, если:
1. Найдем на борту источник энергии для питания этих 100кВт
2. Обеспечим на борту отвод и рассеивание тепла от этих 100кВт
Кстати, обнаружение цели зависит от средней мощности радара, а не от импульсной или пиковой.

• +0.85 / 11

Цитата: fugu01 от 01.02.2018 21:54:04Можно будет, если:
1. Найдем на борту источник энергии для питания этих 100кВт
2. Обеспечим на борту отвод и рассеивание тепла от этих 100кВт
Кстати, обнаружение цели зависит от средней мощности радара, а не от импульсной или пиковой.

Цитата: fugu01 от 01.02.2018 21:54:04

 

1. Скорее - спроектируем, а не найдем
2. Отвод классический - топливом.
.
Ну средний сейчас тоже не айс. На Су-30 - около 1,5-2 квт, на Су-35 - 5 квт. То есть расти куда - есть.

• +0.11 / 2

Цитата: Danila96 от 02.02.2018 02:09:542. Отвод классический - топливом.

Цитата: Danila96 от 02.02.2018 02:09:54

 

     Через передатчик непосредственно проходит для охлаждения ОЖ-65. Противная зелёная хрень.)

• +0.34 / 6

Цитата: Роман81 от 02.02.2018 07:14:41Через передатчик непосредственно проходит для охлаждения ОЖ-65. Противная зелёная хрень.)

Цитата: Роман81 от 02.02.2018 07:14:41

 

Хм... тогда получается все есть, нужно только модернизировать под возросшие мощности.

• +0.00 / 0

Цитата: Danila96 от 02.02.2018 02:09:541. Скорее - спроектируем, а не найдем
2. Отвод классический - топливом.
.
Ну средний сейчас тоже не айс. На Су-30 - около 1,5-2 квт, на Су-35 - 5 квт. То есть расти куда - есть.

Цитата: Danila96 от 02.02.2018 02:09:54

 

Проблема не в том что бы отвести тепло от подложки кристалла, а в том что площадь соприкосновения  между подложкой и кристаллом слишком мала ввиду небольших размеров последнего, имеет место быть высокая плотность теплового потока что служит ограничением единичной мощности кристалла. Увеличение размеров кристалла повлияет на частотные характеристики. 

• +0.54 / 10