«Росэлектроника» создала первые отечественные фотомодули на кристалле для высокоточного оружия

Цитата«Росэлектроника» создала первые отечественные фотомодули на кристалле для высокоточного оружия
29.09.2023



Холдинг «Росэлектроника» Госкорпорации Ростех разработал линейку матричных фотомодулей на основе кристаллов кремния. Они «видят» объекты в любое время суток и способны формировать как черно-белое, так и цветное изображение. Новинка, полностью созданная из российских комплектующих, может применяться в составе систем видеомониторинга, сканирования, а также для наведения высокоточного оружия.
 
Каждый модуль представляет собой кристалл, на котором смонтирована матрица фоточувствительных элементов, 10-разрядный аналого-цифровой преобразователь и генератор сигналов, управляемый интерфейсом передачи данных (SPI). Для получения цветного изображения на поверхность матрицы нанесен RGB-фильтр Байера. Устройство формирует картинку  разрешением 1280х1024 пикселя, что позволяет отображать детали с высокой четкостью.
 
Новые российские модули отличаются низким энергопотреблением в 60 мВ и «видят» в диапазоне 400-900 нм, что соответствует требованиям Минобороны, предъявляемым к подобной продукции. Это позволяет использовать данные фотоприемники для получения качественного изображения в любое время суток. 
Модули созданы специалистами НПП «Пульсар» (входит в «Росэлектронику») по инициативе Минпромторга РФ.
 
«При создании фотоприемников нам удалось добиться актуальных фотоэлектрических характеристик на уровне зарубежных аналогов, используя только российские компоненты. Найденные технические решения будут использоваться при модернизации существующих и разработке новых видеосистем военного и гражданского назначения. В частности, до конца 2023 года НПП «Пульсар» планирует представить на основе этих модулей миниатюрную камеру для технического зрения», – заявил генеральный директор НПП «Пульсар» Сергей Боровой.
 
Фотомодули созданы по технологии комплементарной структуры металл-оксид-полупроводник. Это наиболее распространенная в настоящее время технология построения интегральных микросхем с использованием полевых транзисторов с изолированным затвором и каналами разной проводимости. Отличительной особенностью таких схем является крайне малое энергопотребление в статическом режиме и высокое быстродействие.