Перспективы развития России
25,098,857
129,293
|
DeC ( Профессионал ) |
| 09 ноя 2023 08:57:29 |
Подложки
новая дискуссия Дискуссия 49
Создан макет подложек для производства российских транзисторов нового поколения
Над созданием нового типа подложек для будущего производства гетероструктур нитрида галлия для эффективных транзисторов со сверхбыстрыми электронами работают учёные Института проблем машиностроения РАН.
▪️ Основная технологическая составляющая — это новая прорывная технология выращивания буферного слоя карбида кремния на кремнии, на основе которого и будут формироваться слои других широкозонных полупроводников на кремнии.
— Подложки отличаются тем, что имеют лучшую согласованность параметров кристаллических решеток и коэффициентов термического расширения подложки и растущих слоев, а также большую износостойкость и меньшую стоимость.
«Разработанная в результате выполнения данного проекта технология позволит создать первое в России высокотехнологическое опытное производство слоев 3С-SiC на кремниевых подложках . В случае дальнейшего развития данной технологии и создания на ее основе опытно-промышленного производства возможно существенно развить одну из высокотехнологических областей микроэлектроники — производство гетероструктур нитрида галлия (GaN) для силовой и СВЧ электроники, в которой Россия могла бы занять лидирующее положение», — рассказал руководитель лаборатории структурных и фазовых превращений в конденсированных средах ИПМаш РАН Сергей Кукушкин.
Над созданием нового типа подложек для будущего производства гетероструктур нитрида галлия для эффективных транзисторов со сверхбыстрыми электронами работают учёные Института проблем машиностроения РАН.
▪️ Основная технологическая составляющая — это новая прорывная технология выращивания буферного слоя карбида кремния на кремнии, на основе которого и будут формироваться слои других широкозонных полупроводников на кремнии.
— Подложки отличаются тем, что имеют лучшую согласованность параметров кристаллических решеток и коэффициентов термического расширения подложки и растущих слоев, а также большую износостойкость и меньшую стоимость.
«Разработанная в результате выполнения данного проекта технология позволит создать первое в России высокотехнологическое опытное производство слоев 3С-SiC на кремниевых подложках . В случае дальнейшего развития данной технологии и создания на ее основе опытно-промышленного производства возможно существенно развить одну из высокотехнологических областей микроэлектроники — производство гетероструктур нитрида галлия (GaN) для силовой и СВЧ электроники, в которой Россия могла бы занять лидирующее положение», — рассказал руководитель лаборатории структурных и фазовых превращений в конденсированных средах ИПМаш РАН Сергей Кукушкин.
ОТВЕТЫ (1)
