Перспективы развития России
25,440,560
131,015
|
DeC ( Профессионал ) |
| 22 окт 2024 08:50:13 |
«Росэлектроника» Ростеха в 2026 году представит серийные 4-мегапиксельные сверхстойкие фотомодули для систем машинного зрения
новая дискуссия Новость 601
18 октября 2024
Холдинг «Росэлектроника» Госкорпорации Ростех начал разработку фотомодулей на кристаллах кремния с востребованным разрешением 4 мегапикселя. Изделия будут предназначены для систем машинного зрения и видеомониторинга, в том числе применяемых в экстремальных условиях. В модули закладываются фотоэлектрические характеристики на уровне ведущих мировых аналогов. Первые серийные образцы появятся в 2026 году.
Разработку новых модулей в составе «Росэлектроники» ведет Центральный научно-исследовательский институт (ЦНИИ) «Электрон». Фотоприемник создается на базе наиболее распространенной в настоящее время технологии построения интегральных микросхем (КМОП с технологической нормой 180 нм). Отличительной особенностью таких схем является крайне малое энергопотребление в статическом режиме и высокое быстродействие.
Холдинг «Росэлектроника» Госкорпорации Ростех начал разработку фотомодулей на кристаллах кремния с востребованным разрешением 4 мегапикселя. Изделия будут предназначены для систем машинного зрения и видеомониторинга, в том числе применяемых в экстремальных условиях. В модули закладываются фотоэлектрические характеристики на уровне ведущих мировых аналогов. Первые серийные образцы появятся в 2026 году.
Разработку новых модулей в составе «Росэлектроники» ведет Центральный научно-исследовательский институт (ЦНИИ) «Электрон». Фотоприемник создается на базе наиболее распространенной в настоящее время технологии построения интегральных микросхем (КМОП с технологической нормой 180 нм). Отличительной особенностью таких схем является крайне малое энергопотребление в статическом режиме и высокое быстродействие.
Устройство будет работать в спектральном диапазоне 400-900 нм, разрешением 2048×2048. Размер одного пикселя составит 5,3×5,3 мкм, что сопоставимо с ведущими зарубежными образцами.
Кроме того, сенсоры будут обладать повышенными механическими и климатическими показателями. Это позволит их использовать в том числе в арктических и других телесистемах.
«Формат КМОП-датчика с разрешающей способностью 4 МП является оптимальным для существующей в настоящее время технологии 180 нм и существенно улучшает качество изображения по сравнению с КМОП-датчиками разрешением 2 МП. Мы планируем, что наши датчики найдут свое применение в широкой линейке телевизионных камер и видеосистем, в том числе работающих в экстремальных условиях», – заявил генеральный директор ЦНИИ «Электрон» Алексей Вязников.
Источник
Холдинг «Росэлектроника» Госкорпорации Ростех начал разработку фотомодулей на кристаллах кремния с востребованным разрешением 4 мегапикселя. Изделия будут предназначены для систем машинного зрения и видеомониторинга, в том числе применяемых в экстремальных условиях. В модули закладываются фотоэлектрические характеристики на уровне ведущих мировых аналогов. Первые серийные образцы появятся в 2026 году.
Разработку новых модулей в составе «Росэлектроники» ведет Центральный научно-исследовательский институт (ЦНИИ) «Электрон». Фотоприемник создается на базе наиболее распространенной в настоящее время технологии построения интегральных микросхем (КМОП с технологической нормой 180 нм). Отличительной особенностью таких схем является крайне малое энергопотребление в статическом режиме и высокое быстродействие.
Холдинг «Росэлектроника» Госкорпорации Ростех начал разработку фотомодулей на кристаллах кремния с востребованным разрешением 4 мегапикселя. Изделия будут предназначены для систем машинного зрения и видеомониторинга, в том числе применяемых в экстремальных условиях. В модули закладываются фотоэлектрические характеристики на уровне ведущих мировых аналогов. Первые серийные образцы появятся в 2026 году.
Разработку новых модулей в составе «Росэлектроники» ведет Центральный научно-исследовательский институт (ЦНИИ) «Электрон». Фотоприемник создается на базе наиболее распространенной в настоящее время технологии построения интегральных микросхем (КМОП с технологической нормой 180 нм). Отличительной особенностью таких схем является крайне малое энергопотребление в статическом режиме и высокое быстродействие.
Устройство будет работать в спектральном диапазоне 400-900 нм, разрешением 2048×2048. Размер одного пикселя составит 5,3×5,3 мкм, что сопоставимо с ведущими зарубежными образцами.
Кроме того, сенсоры будут обладать повышенными механическими и климатическими показателями. Это позволит их использовать в том числе в арктических и других телесистемах.
«Формат КМОП-датчика с разрешающей способностью 4 МП является оптимальным для существующей в настоящее время технологии 180 нм и существенно улучшает качество изображения по сравнению с КМОП-датчиками разрешением 2 МП. Мы планируем, что наши датчики найдут свое применение в широкой линейке телевизионных камер и видеосистем, в том числе работающих в экстремальных условиях», – заявил генеральный директор ЦНИИ «Электрон» Алексей Вязников.
Источник
ОТВЕТЫ (0)
Комментарии не найдены!