Цитата: Feral ArtRaz от 10.08.2013 06:44:01
Ну да, эта платка - оконечный каскад инвертора. Питается тем самым 220 х 1,41=311 В. Обычно на входе ещё добавляют DC/DC инвертор на 500-1000 Вт ферритовом трансе, поднимающий напряжение батарей/солн. панели в 24-200В до этих 311В. Vishay'ских IRFP460 с их 500В и 13(20)А может не хватить - надо бы что-то на ~311x2=>600-700В :
http://www.vishay.co…teq-650-v/
и может даже не MOSFET, а IGBT вроде
http://www.irf.com/p…28upbf.pdf
....Ну....теперь я не то чтобы окончательно запутался,а пребываю в степени недоумения, близкой к средней!))))
....А зачем в мостовом коммутаторе близкий к двукратному запас по напряжению? Там же одинаково при достижении обратного напряжения,близкого к напряжению питания моста, откроются защитные диоды....и весь всплеск уйдёт снова в источник? Конечно же, останется ещё пресловутое du\dt.....но так ли оно уж и быстрое, чтобы не поспевали за ним встроенные диоды? В конце концов, МОСФЕТы можно дополнительно шунтировать и "супер ультра фёстом"..... И у мну уже созрела идея, как вслучае безысходности состояние для 460-тых из статуса "может не хватить" перевести чуть ближе к состоянию "та должно хватить".... У нас же по ГОСТам (ОСТам,ТУ и прочая, прочая,прочая) в сети мобыть +\- 10%, т.е любая, правильно спроектированная и исправная, даже выпущенная в прошлом веке тоталитарная техника бытового назначения должна "соответствовать" при питании от 198 вольт, а это уже 279 в амплитудного, т.е двукратно будет всего 560 в........т.е закладываем такое амплитудное на стадии проектирования.....
.....А вот транзисторы
"иго-го-го" ИГБТ реально понравились.Найденный практически сразу в закромах ибея IRG4PC50U с его 600v 27a по демократичной цене внушает доверие.... Его менее 1,65v U
кэ.нас при 20-ми амперах эквивалентно по потерям сопротивлению канала МОСФЕТа в 0,08 ом, а у 460-го в даташитах 0,22...а это уже 4.4 вольта (33 ватта потерь против 88 ватт)...... . Н-да......
Кстати, на картинке в даташите в IRFP460 нарисован таки стабилитрон. Т.е максимальное напряжение закрытого транзистора соответствует напряжению пробоя этого стабилитрона. Это так.....к слову.....
...Осталось ещё что-то придумать с ёмкостью затвора, но....китайчики не особо стесняясь лепят в параллель IRF840 (кста, 500 вольт), и не стесняются.... Я понимаю, что китайцы в таких вопросах от стеснительности не умрут, и даже и не заболеют, но их поделки работают.... Вообщем, у 840-го "total gate charge" 63 nC, а у 460-го 100....Думаю, стоит рискнуть.....А для IRG4PC50U этот же параметр аж 180\270 (типовое\максимальное). Как с этим жить, не
представляю!)))))
Цитата
А точно не проще ли купить готовый и "прочистить" кетайский инж.терроризм, промыв от канифоли, разъедающей плату через полгода, пропаивая приклееные резисторы поверх. монтажа и заменяя кондёры на рисовой муке и диоды из дерьма нормальными?
....Наверное, проще.....и именно по этому пути я и иду..... Только попутно хочу сделать ещё и нешуточный апгрейд!))))) Помните движение оверклокеров начала нулевых? Когда из несчастного процессора под жуткий вой кулеров и клубы пара жидкого азота выжимали не только остатки потенциальных мегагерц,но,наверное,и душу!))))) Я даже перефразировал немножко хорошо известные строки: "
Волк Проц не может,не должен, иначе..... Вот кончается время моё! Тот, которому я предназначен улыбнулся и
поднял ружьё щёлкнул рубильник!)))))))" Дух оверклокерства, к тому же постоянно подпитываемый как жадностью производителей, так и нехваткой средств потребителей, неистребим в принципе!)))))
ЗЫ: Только что досмотрелся..... Есть ещё одно преимущество ИГБТ перед МОСФЕТом. Импульсный ток. У 460-го он в 4 раза больше номинального, а у IRG4PC50U в восемь раз.....