Тред №67119

Цитата: problemsolverОхереть, если честно. Ведь было же много технологий, какую-то одну полупроводниковую могли ведь до ума довести при нажиме государства..

Яйчик просто отрывался.
Радиационная стойкость "на разрушение" однотранзисторной ячейки DRAM, выполненной по CHMOS III - порядка 10⁹ р/ч (т.е. для мегабитного кристалла - 10³), "на сбой" - на четыре порядка ниже. Радиационная стойкость биакса (двухосевого магнитного сердечника, "восьмёрки") - определить не удалось (дозы, дающие остаточную активацию, ещё позволяющую работать с ТЭЗом вне "горячей камеры" к сбоям не приводили). Со стойкостью к ЭМ аналогично.

Цитата: problemsolverНо ведь и современные модули памяти можно просто использовать с десятикратным запасом.

Можно... Только вот схемы коррекции/контроля - тоже полупроводник (и тоже с оч мелкими техноормами, т.е. "горящий" от единственного гамма-кванта). "Quod custodiet ipsos custodes", а?