В конце прошлого года
Минпромторг выделил 5,7 млрд рублей на разработку отечественных литографических сканеров. На днях стало известно, что Зеленоградский нанотехнологический центр (ЗНТЦ) приступил к проектным работам по этому заказу. Подробно о планах центра по проекту ресурсу
zelenograd.ru рассказал генеральный директор ЗНТЦ Анатолий Ковалёв.
Центр заключил с Минпромторгом два контракта: один на разработку сканеров с уровнем топологии до 350 нм, второй — до 130 нм (в интервью говорится о степперах, хотя это старое название сканеров, когда фотомаски механически сдвигались для проекции на новый участок кремниевой подложки). В итоге, как планируется, полностью отечественные фотолитографы придут на замену импортным, в частности, используемым сейчас на зеленоградских фабриках.
Освоение серийного производства фотолитографов на 350 нм ожидается в 2025 году. Для установки будет взят готовый полупроводниковый лазер отечественного производства. Не исключено, что в будущем для этого могут быть также использованы лазеры зеленоградских компаний. Согласно контракту, проект сканера и его опытный образец должны быть готовы к концу 2024 года, включая всю документацию для запуска серийного производства установки.
Из конкурсной документации следует, что 350-нм сканер будет представлять собой 3,5-тонную установку размерами 2 × 2,6 × 2,5 м с управляющим комплексом габаритами 2 × 0,8 × 1,6 м. Установка ориентирована на обработку 150- и 200-мм кремниевых подложек.
Разработка 130-нм сканера завершится примерно на год позже. Для этого сканера будет с нуля создаваться отечественный 193-нм лазер, чтобы уйти от импортных комплектующих, в частности, от лазеров американской компании Cyber, которые сегодня широко используются на российских полупроводниковых заводах. По этой причине завершение проекта 130-нм сканера затянется на чуть большее время.
В серийное производство проект 130-нм сканера с возможностью обработки до сотни 200-мм пластин в час передадут в конце 2026 года. В дальнейшем установка будет модернизирована для выпуска чипов с меньшими технологическими нормами вплоть до 65 нм. Снижение размеров топологии, в том числе, будет достигаться двойным экспонированием. Основным типоразмером пластин для этого сканера станет 200-мм подложка с опциональным использованием 150-мм подложек.
По словам разработчиков, подавляющее большинство заказов на выпуск чипов в мире лежит в диапазоне от 250 до 65 нм, поэтому нет смысла гнаться за десятками и единицами нанометров. Для России в этом проекте главное — это уйти от возможных санкций на поставки промышленного полупроводникового оборудования. Собственное производство сканеров может обезопасить электронную промышленность страны.