Перспективы развития России
25,545,283
131,513
|
DeC ( Профессионал ) |
| 30 авг 2024 00:43:13 |
В Курчатовском институте создан новый двумерный магнит, интегрированный в кремниевую электронику
новая дискуссия Новость 564
29 августа 2024
Материал представляет собой графеноподобные слои AlSi из чередующихся атомов алюминия и кремния, сопряженные со слоями Gd (гадолиния), обеспечивающими магнитные свойства системы.
Результаты работы, поддержанной грантом Российского научного фонда (РНФ), опубликованы в высокорейтинговом журнале Small.
Традиционная электроника на основе кремниевой платформы подошла к своему технологическому пределу. Для обеспечения компактности и функциональности элементной базы электроники необходимы новые технологии и материалы. Одним из наиболее перспективных направлений является спиновая электроника, позволяющая добиться значительной энергоэффективности. Поэтому сейчас активно развиваются исследования 2D-магнитов — магнитных систем толщиной в один или несколько атомных слоев. При этом особенно важно, чтобы материал был технологичен и мог интегрироваться с существующей полупроводниковой технологией. Набор материалов с требуемыми функциональными свойствами пока весьма скуден, что делает задачу создания новых 2D-магнитов весьма актуальной.
В Курчатовском институте разработали способ синтеза слоистого GdAlSi. В объемной форме известен GdAlSi со сложной, неслоистой структурой. Но при уменьшении толщины ниже 8 нм удалось стабилизировать слоистый GdAlSi. Интеграция материала с кремниевой платформой была достигнута естественным путем за счет использования подложки кремния в качестве реагента.
"Обычно в химическом синтезе рассматривается зависимость продуктов реакции от внешних условий, таких как температура и давление. Однако результат химической реакции может зависеть и от размерности системы, быть разным для двумерных и трехмерных систем. Возникающая химия низких размерностей дает возможность получать ранее неизвестные вещества. Это то, чем можно и нужно пользоваться при дизайне материалов электроники. Именно такой подход позволил нам синтезировать новый двумерный магнит GdAlSi — технологичный материал с интересными функциональными свойствами", — пояснил руководитель проекта Андрей Токмачёв, ведущий научный сотрудник лаборатории новых элементов наноэлектроники Курчатовского комплекса НБИКС-природоподобных технологий.
Для синтеза материала был разработан оригинальный подход, основанный на стабилизации слоистых структур в 2D-пределе. Метод позволяет контролировать толщину GdAlSi с точностью до монослоя. Благодаря этому удалось получить ультратонкие пленки с толщиной 1, 2, 3, …, 10 монослоев. Оказалось, что свойства материала, прежде всего магнитные, сильно зависят от толщины. Варьируя ее, можно получать материалы с различными функциональными характеристиками. Поэтому разработка открывает широкие перспективы для синтеза целой серии новых материалов наноэлектроники и спинтроники.
Источник
Материал представляет собой графеноподобные слои AlSi из чередующихся атомов алюминия и кремния, сопряженные со слоями Gd (гадолиния), обеспечивающими магнитные свойства системы.
Результаты работы, поддержанной грантом Российского научного фонда (РНФ), опубликованы в высокорейтинговом журнале Small.
Традиционная электроника на основе кремниевой платформы подошла к своему технологическому пределу. Для обеспечения компактности и функциональности элементной базы электроники необходимы новые технологии и материалы. Одним из наиболее перспективных направлений является спиновая электроника, позволяющая добиться значительной энергоэффективности. Поэтому сейчас активно развиваются исследования 2D-магнитов — магнитных систем толщиной в один или несколько атомных слоев. При этом особенно важно, чтобы материал был технологичен и мог интегрироваться с существующей полупроводниковой технологией. Набор материалов с требуемыми функциональными свойствами пока весьма скуден, что делает задачу создания новых 2D-магнитов весьма актуальной.
В Курчатовском институте разработали способ синтеза слоистого GdAlSi. В объемной форме известен GdAlSi со сложной, неслоистой структурой. Но при уменьшении толщины ниже 8 нм удалось стабилизировать слоистый GdAlSi. Интеграция материала с кремниевой платформой была достигнута естественным путем за счет использования подложки кремния в качестве реагента.
"Обычно в химическом синтезе рассматривается зависимость продуктов реакции от внешних условий, таких как температура и давление. Однако результат химической реакции может зависеть и от размерности системы, быть разным для двумерных и трехмерных систем. Возникающая химия низких размерностей дает возможность получать ранее неизвестные вещества. Это то, чем можно и нужно пользоваться при дизайне материалов электроники. Именно такой подход позволил нам синтезировать новый двумерный магнит GdAlSi — технологичный материал с интересными функциональными свойствами", — пояснил руководитель проекта Андрей Токмачёв, ведущий научный сотрудник лаборатории новых элементов наноэлектроники Курчатовского комплекса НБИКС-природоподобных технологий.
Для синтеза материала был разработан оригинальный подход, основанный на стабилизации слоистых структур в 2D-пределе. Метод позволяет контролировать толщину GdAlSi с точностью до монослоя. Благодаря этому удалось получить ультратонкие пленки с толщиной 1, 2, 3, …, 10 монослоев. Оказалось, что свойства материала, прежде всего магнитные, сильно зависят от толщины. Варьируя ее, можно получать материалы с различными функциональными характеристиками. Поэтому разработка открывает широкие перспективы для синтеза целой серии новых материалов наноэлектроники и спинтроники.
Источник
ОТВЕТЫ (0)
Комментарии не найдены!