Цитата: mse от 15.02.2017 12:56:08Измерительные свип-генераторы. Всё, со всем, было хорошо. Я-ж вам говорю, что ДГ, лежащий на складе, точно так-же прокисает, как и стоящий в схеме. Сам принцип работы и изготовления приводит к деградации. Монокристалл не выдерживает такого уровня легирования.
В какие же, фактически НЕ известные мне, "технологические дебри" заставили Вы меня заглянуть!
легированиеПод легированием полупроводников подразумевается не только дозированное введение в полупроводники(см. ПОЛУПРОВОДНИКИ) примесей, но и структурных дефектов (см. ДЕФЕКТЫ) с целью изменения ихсвойств, главным образом электрофизических. Наиболее распространенным
методом легирования является легирование различными примесями.
Для получения кристаллов n- и p- типа проводимости кристаллы легируют электрически активными примесями (чаще всего – водородоподобными, валентность которых отличается от валентности основных замещаемых атомов на единицу). Электрически активные водородоподобные примеси являются примесямизамещения. Например, для элементарных полупроводниковых материалов
(см. ЭЛЕМЕНТАРНЫЕПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ) германия или кремния такими легирующими примесями являются атомы элементов III или V групп таблицы Менделеева. Примеси такого типа создают мелкие (вблизи дна зоныпроводимости
(см. ПРОВОДИМОСТИ ЗОНА) или вблизи потолка валентной зоны
(см. ВАЛЕНТНАЯ ЗОНА)) энергетические уровни: соответственно, примеси III группы (B, Al, In, Ga) будут акцепторами
(см. АКЦЕПТОР), а примеси V группы (P, Sb, As) — донорами
(см. ДОНОР (в физике)). У полупроводниковых соединений A
IIIB
Vэлементы V группы замещаются примесями VI группы (S, Se, Te), которые являются донорами, а элементы IIгруппы (Zn, Cd), замещая, соответственно, атомы III группы в соединении, будут проявлять акцепторныесвойства. Такое легирование позволяет управлять типом проводимости и концентрацией носителей заряда вполупроводнике.
Некоторые примеси, введенные в кристалл, способны проявлять как донорные, так и акцепторные свойства. Если проявление донорных или акцепторных свойств таких примесей зависит от их размещения вкристаллической матрице, например, от того, находится ли атом легирующей примеси в узлекристаллической решетки или в междоузлии, примеси называются амфотерными. Некоторые примеси, размещаясь в узлах решетки, являются акцепторами, а в междоузлии — донорами. А в случае легированиясоединений A
IIIB
V примесями IV группы, проявление донорных или акцепторных свойств будет зависеть оттого, в узлах какой подрешетки расположен атом примеси. При замещении таким атомом катионного узла онбудет проявлять донорные свойства, а при замещении анионного узла — акцепторные.
В некоторых случаях используют легирование изовалентными примесями, т.е. примесями, принадлежащимитой же группе Периодической системы, что и замещаемые им атомы. Такое легирование используется дляформирования свойств косвенным путем. Например, легирование кристаллов GaAs изовалентной примесьюIn способствует проявлению эффекта примесного упрочнения (снижения плотности дислокаций) иформированию в кристалле полуизолирующих свойств.
Иногда для легирования используют примеси, образующие глубокие уровни в запрещенной зоне, чтопозволяет воздействовать на диффузионную длину носителей заряда и регулировать степень компенсацииэлектрически активных центров.
Путем введения тех или иных легирующих добавок можно эффективно влиять на состояние ансамбля собственных точечных дефектов
(см. ТОЧЕЧНЫЕ ДЕФЕКТЫ) в кристалле, в особенности на поведение в нихдислокаций и фоновых примесей и таким образом управлять свойствами полупроводникового материала.
Легирование полупроводников обычно осуществляется непосредственно в процессе выращиваниямонокристаллов и эпитаксиальных структур. Легирующая примесь в элементарной форме или в видесоединения вводится в расплав, раствор или газовую фазу. В связи с особенностями процессов на фронтекристаллизации при выращивания кристаллов и пленок, примесь распределяется неравномерно как подлине, так и в объеме кристалла. Чтобы добиться равномерного распределения, используются различныетехнологические приемы.
Еще одним способом легирования полупроводников является радиационное легирование. В этом случаедоноры и акцепторы не вводятся в кристалл, а возникают в его объеме в результате ядерных реакций при егооблучении. Наибольший практический интерес представляют реакции, возникающие в результате облучениятепловыми нейтронами, которые обладают большой проникающей способностью. При таком способелегирования распределение электрически активных примесей более равномерно. Но в процессе облучения вкристалле образуются радиационные дефекты, снижающие качество материала.
Для создания p-n-переходов может использоваться диффузионный метод введения легирующей примеси. В этом случае примесь в объем вводят либо из газовой фазы, либо из специально нанесенного покрытия, которым может служить, например, в случае кремния, оксидная пленка. Для получения тонких легированныхслоев широко используется метод ионной имплантации
(см. ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ), позволяющейвводить практически любую примесь и управлять ее концентрацией и профилем ее распределения.
Т.е. Вы говорите о том, что использовавшийся при изготовлении ДГ
Технология Способ легирования полупроводников в тот период времени, приводила к преждевременному "прокисанию"?
Или
технология Способ легирования НЕ роляет?
Роляет "
Уровень легирования"? А это вообще, что такое?
Я безусловно далек от этого. Можете объяснить?